3月25日，由瑞波光电牵头承担的国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项“高功率密度905nm多结半导体激光芯片”项目启动暨实施方案论证会在华南理工大学顺利召开。

会议邀请到广东省科技厅产学研结合处刘志辉副处长、广州市科技局孟徽副局长，项目专家组华南师范大学/华南理工大学杨中民教授、中国科学院大学樊仲维教授、清华大学柳强教授、西南技术物理研究所余丽波研究员、杭州光学精密机械研究所张晶研究员、中国科学院物理研究所魏志义研究员、 华东师范大学曾和平教授、中国科学技术大学姜海峰研究员、中国科学院半导体研究所林学春研究员、东北师范大学王鹏飞教授、山西大学郑耀辉教授、华南师范大学周桂耀教授，以及项目骨干约30人参加了本次会议。

项目负责人胡海博士从项目背景、研究内容、实施方案、预期目标等方面进行了全面汇报，详细阐述通过“外延设计-芯片-器件-验证”全链条协同创新，突破波长稳定量产工艺难点，杂散光难题等技术瓶颈，研制功率大于120W、高功率密度、波长稳定、高光束质量的905nm 半导体激光芯片, 为新型激光雷达和测距传感应用提供核心器件。

专家组认真听取项目负责人汇报、审阅实施方案，并进行质询讨论后，一致认为项目以创新的多隧道结技术实现器件性能的优化、新颖的光束限制结构的技术路线具有显著前瞻性、波长稳定技术提升了测距能力降低了功耗，并建议项目组在实施过程中建立技术指标动态优化机制与协同创新机制，强化多个应用场景落地，助力项目高效完成。胡海代表项目组表示将全面落实专家组建议，建立完善的项目管理与协调机制，把控细节，确保阶段与总体目标的如期完成。

“高功率密度905nm多结半导体激光芯片” 项目于2024年12月立项，由深圳瑞波光电子有限公司承担。“新型显示与战略性电子材料”重点专项重点支持相关重要科学前沿或我国科学家取得原创突破，应用前景明确，有望产出具有变革性影响技术原型，对经济社会发展产生重大影响的前瞻性、原创性的基础研究和前沿交叉研究。

来源：瑞波光电

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