西安炬光科技有限公司发明专利“HIGH-POWER SEMICONDUCTOR LASTER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME”于2014年1月28日正式获得美国专利商标局授权，专利号为US 8638827 B2，在获得美国专利授权的同时，炬光科技的该专利也在欧盟、日本等国家或地区进入公开阶段。

该发明专利提出了一种单发射腔高功率半导体激光器结构设计方法，是炬光科技自主研发的F-mount^R半导体激光器系列产品的核心技术，该系列产品使用无铟化技术，具有高功率，高可靠性和客户使用方便等优点，该系列产品已经广泛应用于固体激光泵浦、激光显示、激光测距、激光夜视等多个领域。

“HIGH-POWER SEMICONDUCTOR LASTER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME”获美国专利授权

   炬光科技成立以来，始终坚持自主创新，大力投入研发，攻克了很多关键技术，取得了很多创新成果，过去5年已累计申请专利176项，77项已授权（其中13项发明专利）并主导编写两项半导体激光器国家标准。此次炬光科技发明专利获得美国授权，是公司创新成果得到认可和公司知识产权保护的体现，对于公司构筑核心技术专利保护网、提升国际市场品牌形象和竞争力具有重要的意义，同时也为公司开拓海外市场过程中抵御知识产权风险提供有力的保障。