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5G时代唤醒InP,老材料焕发“芯”机——化合物半导体在线研讨会
材料来源:lfwc          

8月25日(星期二14:00-17:00)化合物半导体杂志将举办在线研讨会,欢迎读者朋友报名参与!

注册听会请点击文末阅读原文,报名截至8月24日

会议主题:

作为第二代半导体材料代表的磷化铟(InP),具有高的电光转换效率、高的电子迁移率、高的工作温度、以及强抗辐射能力的特点,广泛应用在光通信、高频毫米波、光电集成电路和外层空间用太阳电池等领域。根据Yole测算,2021年全球2英寸InP衬底需求达到约400万片,4英寸InP衬底需求约105万片。到2024 年,InP 市场规模将达到1.72 亿美元,年复合年增长率为14%。

InP是激光收发器重要的半导体材料,处于产业链上游;激光器和接收器是光模块能进行光电信号转换的核心器件,处于产业链中游;以亚马逊、微软为代表的云计算厂商是光通信产业的应用端,处于产业链下游。5G 时代光通信行业迎来快速发展,5G 基站网络结构的变化增加对光模块的需求,激光器和探测器是光模块的关键光电器件,产能有望扩张,进一步带动光通信核心半导体材料InP需求的增长。

5G 网络高频、高速的特性要求前端射频组件具备在高频、高功率下更好的性能表现,从而对其半导体材料电子迁移率和工作温度等物理性能提出了更高的要求。利用InP制造的信号接收机和放大器可以工作在100GHz以上的极高频率,并且有很宽的带宽,受外界影响小,稳定性高。因此InP在5G 时代将成为终端设备以及基站设备前端射频器件的核心半导体材料,迎来更大市场空间。


会议流程:

 

张宁 博士,应用工程师,牛津仪器

演讲主题:

制造先进InP收发器蚀刻和沉积的解决方案

演讲摘要:

随着光通信市场对InP收发器的需求增长,如何制造高性能高良率的InP收发器,并同时尽可能的降低制造成本,受到很多关注。在这其中,刻蚀和沉积工艺至关重要,所以本次OIPT的演讲就针对这一问题,重点讲解刻蚀和沉积解决方案中的关键技术。

张昭宇,香港中文大学(深圳)理工学院副教授

             深圳市微米纳米技术学会理事

演讲主题:

化合物半导体在光纤通信激光器上的应用现状及前景

演讲摘要:

为何选用GaAs,InP应用于光纤通信激光器出发,讨论这两种材料相较其他光电材料本身物理化学性能的优劣势,以及用这两种材料制成激光器器件的难点。在分析目前产业走势的前提下,预估这两种材料在激光器应用上未来的几个可能发展方向。最后着重介绍硅基单片集成的几种材料、器件、集成等的解决方案。

陆敏 博士,研讨会主席,《化合物半导体》技术顾问

                 宽禁带半导体联盟秘书长

从事化合物半导体领域工作及研究25年,策划并成功组织2届APCSCRM国际会议; SEMI中国化合物半导本标委会核心委员,国家半导体材料标委会委员,成功组建宽禁带半导体技术团体标准标委会,共发布实施12项团标。对宽禁带半导体材料的生长、器件制备技术及半导体技术标准化有丰富的经验。近年来承担或参与了多项国家发改委、工信部、科技部重点研究计划63,973和国家自然科学基金等科技及产业化项目。在国内外学术期刊上共发表论文40余篇,申请国内发明专利13项,授权11项,起草并发布国际标准1项,国家标准1项,团体标准10项。

邓丽刚 博士,半导体物理方向博士学位

三维传感和数据通信相关市场产品经理

本科就读于湖南湘潭大学物理专业,并于2000年在英国Glasgow 大学获得半导体物理方向的博士学位 , 主要研究等离子刻蚀对半导体器件的损伤。毕业之后,加入牛津仪器等离子技术公司 成为工艺工程师, 2007年成为主任工程师。在牛津仪器的近20年的时间里,邓丽刚博士主持研发了所有与制作各种光电子器件有关的III-V 半导体化合物材料的刻蚀工艺。目前她是公司负责面向三维传感和数据通信相关市场的产品经理。

陈佰乐 博士,上海科技大学助理教授,研究员

分别于2009年和2013年在美国弗吉尼亚大学获得物理学硕士学位和电子工程博士学位。随后他加入位于美国俄勒冈的Qrovo (前身为Triquint Semiconductor)总部任射频产品研发工程师。2016年1月全职加入上海科技大学信息科学与技术学院,任助理教授(终身教授序列)、研究员、博士生导师。现为IEEE Access的副主编,同时也是国际电气与电子工程师协会和美国光学协会的会员。目前陈佰乐博士主持和承担2019年度和2020年度科技部国家重点研发计划(光电子微电子专项),国家自然科学基金面上项目,中科院先导A,上海市青年扬帆计划,以及多项中科院重点实验室项目。

赞助商介绍:

牛津仪器1959年创建于英国牛津,是英国伦敦证交所的上市公司,为工业和科研客户提供分析设备、半导体设备、超导磁体、超低温设备等高科技解决方案及相关服务和支持。目前牛津仪器现已成为科学仪器领域的跨国集团公司,生产基地、销售服务网络和客户遍及一百多个国家和地区,目前在上海设有销售、研发和全国售后服务中心 ,在北京、广州设有办事处,旨在为广大中国用户提供及时、有效的服务。牛津仪器等离子体技术公司提供专业的刻蚀和沉积工艺解决方案, 这些解决方案基于等离子体,离子束,以及原子层沉积与刻蚀的诸多核心技术。其产品范围覆盖了从高产能的集簇式cassette-to-cassette工业化平台到专为R&D而设计的紧凑型分立式设备。

Plasmapro 100系列 ICP电感耦合刻蚀机,RIE刻蚀机, Ionfab 离子束刻蚀沉积, PECVD等离子加强型介质沉积,ICPCVD 电感耦合等离子加强型介质沉积以及ALD 原子层沉积

随着5G技术的不断发展和普及,频谱,容量以及传输速率这几大因素决定了如何有效承载整个5G网络。而作为第三代半导体衬底材料之一的磷化铟因其优于其他半导体材料的频率特性在5G, 以及超晶格红外探测等领域都得到了充分的应用。万物互联需要使用光纤实现超高速数据传输,而使用了磷化铟材料制造的激光器发出的光在光纤中可实现无损耗传输,从而保证的数据的高速和有效性。牛津仪器等离子体作为有着60年半导体设备生产经验的英国厂商,为化合物半导体器件前段制造领域提供完善的刻蚀以及薄膜沉积的解决方案。牛津仪器等离子体的刻蚀设备在行业内第一家通过4寸磷化铟边发射激光器量产验证,其ICP以及RIE刻蚀设备如今被广泛使用于光通讯以及数据通讯中使用的半导体接收器的制造,比如周期光栅,光脊,平台以及介质层的刻蚀。除了作为有源器件的边发射激光器,其制造过程中的绝缘以及侧面保护也非常重要,所以牛津仪器等离子体还为用户度身定制了先进的介质薄膜沉积设备包括PECVD,ICPCVD,IBD以及ALD。用户可以结合自身需求选择最适合的刻蚀以及沉积配套设备来实现高性能,高良率,高信赖性的器件生产。

会议咨询:

Kiki Pei 裴雅琴  

134 3090 2542    

kikip@actintl.com.hk

Sky Chen 陈   燕   

137 2373 9991     

skyc@actintl.com.hk

主办 :  香港雅时国际商讯          

大会媒体: 《化合物半导体》杂志


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