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新型III-V族半导体纳米线激光器 可直接集成在图案化的硅上
材料来源:LFWC           录入时间:2019/7/1 23:53:28

卡迪夫大学(威尔士)的研究人员创造了纳米激光器,每个纳米激光器的占位面积仅为3×3μm,可以集成到绝缘体上的硅(SOI)光子电路中。激光器发射1290nm的光,通过硅中的2D光栅引入硅中。

这是第一个展示光子带边激光器如何直接集成在图案化的SOI平台上的演示” Diana Huffaker教授说,目前她是卡迪夫大学物理与天文学院复合半导体研究所的科学主任。

这个基于铟镓砷/磷化铟(InGaAs / InP)的室温激光器以9 x 9阵列制造,其腔质量Q因子为23,000,阈值为200μJcm-2

“这项研究将对快速发展的光子学领域产生长期影响,特别是对推动大批量,高规格光学元件商品化,使其用于大众通信市场和传感应用有深远意义。”化合物半导体主管Wyn Meredith说。


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