近年来，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其出色的物理和化学性质，广泛应用于低功耗、小型化、高压、高频的电子器件中。然而，SiC因其莫氏硬度高达9.5，使得其加工过程成为一项技术难题。传统的切割工艺存在材料损耗和加工时间长等问题，制约了SiC的高效加工和广泛应用。

在SiC衬底的传统加工流程中，主要使用多线切割工艺。这一工艺在6英寸和8英寸的SiC晶锭切割过程中，单片材料的损失高达280～300μm。以6英寸SiC晶锭为例，切割时间长达130小时，8英寸SiC晶锭的切割时间更是达到180小时，这导致每颗SiC晶锭的材料损失率接近46%。这一高材料损耗率不仅增加了生产成本，还严重影响了生产效率。

为了解决传统切割工艺中存在的问题，深圳平湖实验室新技术研究部成功开发了SiC衬底的激光剥离技术。与多线切割工艺相比，激光剥离工艺具有显著的优势，特别是在材料损耗和生产效率方面。

在使用激光剥离技术时，6英寸和8英寸SiC衬底的单片材料损耗可以控制在120μm以内，明显低于传统切割工艺的280～300μm，出片率提高了40%。此外，激光剥离技术还使得单片成本降低了约22%。这一技术的实施不仅大幅降低了生产成本，还提高了生产效率，有助于加速8英寸SiC衬底的产业化进程。

深圳平湖实验室的这一技术突破为SiC衬底产业带来了轻资产、高效益的新模式。激光剥离技术的应用，不仅提升了SiC衬底的加工效率和降低了成本，还为其他硬质材料的加工提供了新的思路和方法。这一技术的推广有望加速SiC产业化的进程，并推动材料科学、激光技术等相关领域的进步与发展。

来源：深圳平湖实验室

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