近日，由国防科技大学前沿交叉学科学院、苏州长光华芯光电技术股份有限公司组成的半导体激光团队，在双色半导体激光器研究方面取得重要进展。

他们通过深入的数值研究发现，精确调控与温度相关的量子阱增益滤波和半导体微腔滤波效应，有望实现双色增益的灵活调控。在此基础上，团队成功设计出一款960/1000nm的高亮度增益芯片，该激光器工作于近衍射极限的基模模式，输出亮度高达约310MW/cm²sr。

半导体增益芯片输出特性的综合分析

通过这种巧妙的芯片设计，实现了量子阱增益滤波和微腔滤波的有机结合，为双色激光源的实现奠定了设计基础。从性能指标来看，该单片双色激光器实现了高亮度、高灵活性以及精确同轴光束输出，其亮度在目前单片双色半导体激光器领域处于国际领先水平。