美国纽约州罗切斯特大学的电气工程师们说，他们在不断缩小光子集成电路的尺寸，使之足以与微型电子集成电路有效竞争。

众所周知，由于优越的电光和非线性光学特性，铌酸锂已成为光子学研究和发展的重要材料。然而，在块状晶体或薄膜平台上制造的铌酸锂光器件尺寸较大，且难以缩小，这限制了铌酸锂光器件的调制效率、能量消耗和电路集成度。其中一个主要挑战就是制造高精度高质量的纳米光子结构。

图1 Lin教授实验室研制的电光调制器原理图

罗切斯特大学的研究人员使用一层薄薄的铌酸锂结合在二氧化硅层上，创造出的铌酸锂调制器不仅超小，而且还高速高效。该铌酸锂调制器项目是以之前实验室使用的铌酸锂为基础制造的光学纳米腔的基础上完成的。该纳米腔的尺寸只有1μm左右，在室温下仅用2-3个光子就能调谐波长。

Lin教授说：“这是我们第一次知道，在室温下可以用这种方式操纵2-3个光子。该调制器可与纳米腔配合使用，可以制造纳米级的光子芯片。”

图2 Mingxiao Li正在研制一种 LiNbO3芯片

研究人员认为，他们创造出了“迄今为止最小的电光调制器”，是实现大规模铌酸锂光子集成电路的重要基础，在数据通信、微波光子学和量子光子学中有着极其重要的应用。