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度亘核芯发布国际首款9xxnm单管芯片55W最新成果
材料来源:度亘核芯           录入时间:2023/2/23 23:54:27

度亘核芯(DoGain)在2023年1月29日美国旧金山举行的西部光电会议(Photonics West 2023)上发布了在高功率9xxnm半导体激光方面的最新进展。开发的915nm单管激光芯片,国际上首次实现了单管器件高达55W的功率输出!

图1. 9xxnm半导体激光芯片结构示意图

图2. 9xxnm半导体激光器件COS结构示意图

高功率、高效率、高亮度是激光技术和应用孜孜以求的目标,也是当前激光技术领域中比较活跃的研究领域。我们通过对基础物理、材料科学以及器件制备工艺的深入研究,优化了芯片的内量子效率、腔内光学损耗以及腔面的高负载能力,成功实现了输出功率和电光转换效率的显著提高。开发的915nm单管激光芯片,在室温和55A连续工作条件下,突破性的实现了55.5W的高输出功率,而且具有高的电光转换效率、小的水平发散角和高的偏振度。

图3. 25℃,CW条件下,915nm 功率、电压和电光转换效率随电流变化曲线

度亘很荣幸将此技术及产品推向市场,为客户提供高功率、高效率、高性价比的有效解决方案。度亘也将持续聚焦核心光电领域,提升产品的性能和可靠性,持续不断的为客户提供更优质的产品。

关于度亘核芯

度亘核芯以高端激光芯片的设计与制造为核心竞争力,聚焦光电产业链上游,拥有覆盖化合物半导体激光器芯片设计、外延生长、器件工艺、芯片封装、测试表征、可靠性验证以及功能模块等全套工程技术能力和量产制造能力,专注于高性能、高功率、高可靠性光电芯片及器件的设计、研发和制造,产品广泛应用于工业加工、智能感知、光通讯、医疗美容和科学研究领域,致力打造具有国际行业地位的产品研发中心和生产制造商。

(文章转载自网络,如有侵权,请联系删除)


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