文/仇伯仓，胡海，何晋国；深圳清华大学研究院，深圳瑞波光电子有限公司

以808 nm和9xx nm为代表的高功率激光器件已经成为激光加工系统的核心部件。高功率激光芯片有若干重要技术指标，包括能量转换效率以及器件的运行可靠性等。能量转换效率主要取决于芯片的外延结构与器件结构设计，而运行可靠性主要与芯片的腔面处理工艺有关。本文首先简要综述高功率激光器的设计思想以及腔面处理方法，随后展示深圳清华大学研究院和深圳瑞波光电子有限公司在研发808 nm高功率单管激光芯片方面所取得的主要进展。

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