2024年6月14日，第二届“2024行家说三代半汽车&光储充SiC技术应用及供应链升级大会”在上海虹桥新华联索菲特大酒店隆重召开。大族半导体产品线总经理巫礼杰先生作为特邀嘉宾，发表了题为“激光技术助力8inch SiC衬底降本增效”的专题演讲。他凭借丰富的行业经验和独到的见解，深入剖析和分享激光技术在半导体加工领域中的前沿应用。

巫总强调，在晶圆制备的切磨抛流程中，线切割技术长久以来是传统主流的切片技术，但面对碳化硅这种硬度极高的材料，传统的多线切割技术在衬底加工中面临重重困难，导致了材料耗损大、出片率低、效率低等诸多问题。随着半导体行业对晶圆需求的日益多元化，特别是在大尺寸8inch SiC衬底切片和超薄切片领域，传统切片技术已无法满足当前的工艺要求。因此，新型切割技术的突破成为了推动第三代半导体产业持续发展的核心问题。在此背景下，大族半导体成功研发了QCB激光切片技术，并于2022年重磅推出了新型SiC晶锭激光切片装备。该装备在加工材料利用率、出片率、大尺寸切割以及超薄片切割等方面展现出了显著优势，已成功应用于8inch SiC衬底的量产，同时形成具有自主知识产权的新一代激光切片关键技术及装备，助力8inch SiC衬底降本增效。

SiC晶锭激光切片设备

型号：HSET-S-LS6200

01 应用领域

大族半导体SiC晶锭激光切片装备应用于第三代半导体SiC晶锭激光切片，SiC超薄晶圆激光切片等领域。

02 技术优势

大族半导体的SiC晶锭激光切片设备在激光切片技术领域展现了显著的技术优势，主要体现在以下几个方面：

● 高动态高功率飞秒激光器

● 超快激光时空整形同步聚焦调制技术

● 激光加工与材料掺杂实时同步调控技术

● 高效高质低损激光切片剥离分片技术

● 加工面平整，材料耗损低，出片率高

● 加工效率快，良率高，8inch大尺寸加工

● 超薄晶圆加工，加工材料兼容性好

03 实例效果

大族半导体凭借领先的激光装备技术和创新实力，在半导体加工领域展现出强大的竞争力。除了QCB激光切片装备外，巫总还特别提及的四款先进激光装备：SiC激光退火装备、新型激光改质划片装备、激光解键合装备以及激光开槽装备，均充分展现了大族半导体在高精度、低损伤、高效率、技术创新和成本效益方面的卓越优势。

未来，大族半导体将坚定不移地走在技术创新和产品研发的最前沿，致力于满足半导体行业日益升级的需求，不断加大在激光装备技术领域的投入，积极推动激光加工技术的突破和广泛应用，引领行业的持续创新与发展。

文章来源：大族半导体

注：文章版权归原作者所有，本文仅供交流学习之用，如涉及版权等问题，请您告知，我们将及时处理。