随着半导体制造技术的不断发展和超大规模集成电路设计制造能力的不断提升，激光退火技术逐渐取代传统炉管退火技术，成为半导体制造领域的主流技术。激光退火相对于传统退火，具有选区加热、闭环精准控温、高能量密度、连续能量输出稳定等特点，能够满足均温退火、尖峰退火和快闪退火等多种退火工艺需求。

应用

激光退火（Laser Annealing）是28 nm及以下逻辑芯片制造前道工序中不可缺少的关键工艺之一。该工艺采用近红外波段半导体激光光源，通过多组不同功能的激光光学整形系统及光学匀化系统，在工作距离下可达成12 mm*70μm的极窄线激光光斑，将形成的高能量密度极窄激光光斑照射到晶圆表面，在不到1毫秒的时间内将表层原子层加热到1000°C以上再急速冷却，从而有效减少前道工序中产生的晶圆电极缺陷，提高产品性能，提升晶圆生产良品率。

产品

炬光科技推出的DLight®S系列半导体集成电路晶圆退火系统，结合了产生光子的共晶键合技术、激光光源热管理技术、热应力控制技术以及调控光子的激光光束转换技术和光场匀化技术，可生成一条线宽70 μm，长宽比达160:1的近红外波段极窄线光斑，提供高达1800 W/mm2的连续能量输出，在光斑长度方向上可达到＞95%的光斑均匀性和＞98%的连续输出能量稳定性，同时还具备工艺点温度监测、输出光束质量在线检测等附加功能。

其关键性能指标有（参考图片测试数据）：

DLight®S系列半导体集成电路晶圆退火系统在设计时充分考虑了加工效率、维护便捷性、产品可靠性及可拓展性，具有极佳的性能优势，可应用在半导体前道工序中，完成动态表面退火（DSA）、激光尖峰退火（LSA）等加工工艺。 

典型产品测试数据

DLight®S系列半导体集成电路晶圆退火系统

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