炬光科技推出两款小型化高功率半导体激光器叠阵GS09和GA03，依托炬光科技的共晶键合、界面材料与表面工程、热管理等核心技术，实现了集成技术的进步、设计效率的提高、热管理能力的升级以及产品可靠性和寿命的提升。

GS09将芯片间距从前代产品的0.73mm缩小到0.43mm，显著降低叠阵发光区宽度，同时叠阵中的芯片数量可拓展到10bar，实现最高1kW的峰值功率输出。GA03在前代产品的基础上将整体宽度从18.2mm大幅降低到7.45mm，并保持相同的单巴输出功率约为200W，产品芯片数量可以横向纵向拓展到3×10阵列（30bar），实现最高6kW的峰值输出。

文章来源：炬光科技

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